我国在天外成效考据第三代半导体材料制造的功率器件

发布日期：2025-02-06 14:46    点击次数：103

　　以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的脱手身分和紧迫保证。记者从中国科学院微电子接头所获悉，我国在天外成效考据了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。

　　据中国科学院微电子接头所刘新宇接头员先容，功率器件是达成电能变换和截止的中枢，被誉为“电力电子系统的腹黑”，是最为基础、诳骗最为平庸的器件之一。

　　跟着硅基功率器件的性能靠拢极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其私有上风可自豪空间电源系统高能效、微型化、轻量化需求，对新一代航天本领发展具有紧迫政策好奇艳羡好奇艳羡。

　　2024年11月15日，中国科学院微电子接头所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间诳骗工程与本领中心刘彦民团队共同研制的碳化硅（SiC）载荷系统，搭乘天舟八号货运飞船飞向天外，开启了空间站轨谈科学查考之旅。

　　“本次搭载主要任务是对国产自研、高压抗发射的碳化硅（SiC）功率器件进行空间考据，恒信宝并在航天电源中进行诳骗考据，同期进行概括发射效应等科学接头，渐渐提高我国航天数字电源功率，撑抓往常单电源模块达到千瓦级。”刘新宇说。

　　通过一个多月的在轨加电查考，碳化硅（SiC）载荷测试数据经常，成效进行了高压400V碳化硅（SiC）功率器件在轨查考与诳骗考据，在电源系统中静态、动态参数均合适预期。

　　业内群众以为，我国在天外成效考据第三代半导体材料制造的功率器件，象征着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为往常我国在探月工程、载东谈主登月、深空探伤等界限提供新一代功率器件。

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